MT29F64G08CBABAWP: Πλαστική PBF TSOP 3.3V ολοκληρωμένου κυκλώματος λάμψης NAND Β μάζα τσιπ μνήμης 8GX8 - αποθήκευση
serial flash chip
,circuit board chips
MT29F64G08CBABAWP:B IC Memory Chip NAND FLASH 8GX8 PLASTIC PBF TSOP 3.3V MASS STORAGE Η μνήμη των κυψελών και των κυψελών που χρησιμοποιούνται για την αποθήκευση δεδομένων
Χαρακτηριστικά
• Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0-συμβατό1
• τεχνολογία κυψελών ενός επιπέδου (SLC)
• Οργάνωση ️ Μέγεθος σελίδας x8: 2112 bytes (2048 + 64 bytes) ️ Μέγεθος σελίδας x16: 1056 λέξεις (1024 + 32 λέξεις) ️ Μέγεθος μπλοκ: 64 σελίδες (128K + 4K bytes) ️ Μέγεθος αεροπλάνου:2 επίπεδα x 2048 μπλοκ ανά επίπεδο: 4Gb: 4096 μπλοκ; 8Gb: 8192 μπλοκ 16Gb: 16.384 μπλοκ
• Ασύγχρονη απόδοση Ε/Υ ∆ tRC/tWC: 20ns (3,3V), 25ns (1,8V)
• Απόδοση συστοιχίας ∆ημοσίευση σελίδας: 25μs 3 ∆ημοσίευση προγράμματος: 200μs (TYP: 1.8V, 3.3V) 3 ∆ημοσίευση μπλοκ: 700μs (TYP)
• Σύνολο εντολών: ONFI NAND Flash Protocol
• Προχωρημένο σύνολο εντολών ️ λειτουργία μνήμης cache σελίδας προγράμματος4 ️ λειτουργία μνήμης cache σελίδας ανάγνωσης4 ️ λειτουργία προγραμματισμού μιας χρήσης (OTP) ️ εντολές δύο επιπέδων 4 ️ λειτουργίες διαχωρισμένων πινάκων (LUN) ️ αναγνώριση μοναδικού αναγνωριστικού ️ κλειδαριά μπλοκ (1.8V μόνο) ∆ Εσωτερική μεταφορά δεδομένων
• Το byte της κατάστασης λειτουργίας παρέχει μέθοδο λογισμικού για την ανίχνευση της κατάστασης ολοκλήρωσης της λειτουργίας
• Το σήμα Ready/Busy# (R/B#) παρέχει μια μέθοδο υλικού για την ανίχνευση της ολοκλήρωσης της λειτουργίας
• WP# σήμα: Κράτα ολόκληρη τη συσκευή
| Χαρακτηριστικά του προϊόντος | Επιλέξτε όλα |
| Κατηγορίες | Συμπλέκτες (IC) |
| Μνήμη | |
| Κατασκευαστής | Η Micron Technology Inc. |
| Σειρά | - |
| Κατάσταση τμήματος | Ενεργός |
| Τύπος μνήμης | Μη πτητικά |
| Φόρμα μνήμης | ΦΛΑΣ |
| Τεχνολογία | Flash - NAND |
| Μέγεθος μνήμης | 64Gb (8G x 8) |
| Γράψτε το χρόνο κύκλου - λέξη, σελίδα | - |
| Διασύνδεση μνήμης | Παράλληλα |
| Πρόσθετη τάση | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | 0 °C ~ 70 °C (TA) |
MT48LC4M16A2TG-75 ΑΥΤΟ: Σύγχρονο DRAM ΜΙΚΡΌ TSOP4 Meg τράπεζες Χ 4 X 4 ολοκληρωμένου κυκλώματος Γ TR
M45PE10-VMN6P IC μνήμης φλας ΝΕΟΙΚΟΙ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΙ
MT25QL512ABB1EW9-0SIT IC μνήμης flash νέος και πρωτότυπος
N25Q128A13EF740F Νέο και αρχικό απόθεμα
PF48F3000P0ZTQEA Νέο και αρχικό απόθεμα
N25Q128A13ESF40F TR Νέο και αρχικό απόθεμα
N25Q064A13ESE40F TR ΝΕΟΙ και πρωτότυποι αποθέματα
N25Q128A11EF840F TR ΝΕΟΙ και πρωτότυποι αποθέματα
N25Q128A13BSF40F TR Νέο και αρχικό απόθεμα
MX30LF2G18AC-TI Νέο και αρχικό απόθεμα
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
|---|---|---|---|
|
|
MT48LC4M16A2TG-75 ΑΥΤΟ: Σύγχρονο DRAM ΜΙΚΡΌ TSOP4 Meg τράπεζες Χ 4 X 4 ολοκληρωμένου κυκλώματος Γ TR |
SDRAM Memory IC 64Mbit Parallel 133 MHz 5.4 ns 54-TSOP II
|
|
|
|
M45PE10-VMN6P IC μνήμης φλας ΝΕΟΙΚΟΙ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΙ |
FLASH - NOR Memory IC 1Mbit SPI 75 MHz 8-SO
|
|
|
|
MT25QL512ABB1EW9-0SIT IC μνήμης flash νέος και πρωτότυπος |
FLASH - NOR Memory IC 512Mbit SPI 133 MHz 8-WPDFN (8x6) (MLP8)
|
|
|
|
N25Q128A13EF740F Νέο και αρχικό απόθεμα |
FLASH - NOR Memory IC 128Mbit SPI 108 MHz 8-VDFPN (6x5) (MLP8)
|
|
|
|
PF48F3000P0ZTQEA Νέο και αρχικό απόθεμα |
FLASH - NOR Memory IC 128Mbit Parallel 52 MHz 65 ns 88-SCSP (8x10)
|
|
|
|
N25Q128A13ESF40F TR Νέο και αρχικό απόθεμα |
FLASH - NOR Memory IC 128Mbit SPI 108 MHz 16-SO
|
|
|
|
N25Q064A13ESE40F TR ΝΕΟΙ και πρωτότυποι αποθέματα |
FLASH - NOR Memory IC 64Mbit SPI 108 MHz 8-SO W
|
|
|
|
N25Q128A11EF840F TR ΝΕΟΙ και πρωτότυποι αποθέματα |
FLASH - NOR Memory IC 128Mbit SPI 108 MHz 8-VDFPN (MLP8) (8x6)
|
|
|
|
N25Q128A13BSF40F TR Νέο και αρχικό απόθεμα |
FLASH - NOR Memory IC 128Mbit SPI 108 MHz 16-SOP2
|
|
|
|
MX30LF2G18AC-TI Νέο και αρχικό απόθεμα |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gbit Parallel 20 ns 48-TSOP
|