Να στείλετε μήνυμα
Σπίτι>προϊόντα>

silicon npn power transistors

λέξεις κλειδιά   [ silicon npn power transistors ]  Αντιστοιχία 177 προϊόντα.
Εικόναμέρος #ΠεριγραφήκατασκευαστήςΑπόθεμαRFQ
BD439 Μονάδα Power Mosfet Πλαστικό τρανζίστορ πυριτίου NPN μέσης ισχύος

BD439 Μονάδα Power Mosfet Πλαστικό τρανζίστορ πυριτίου NPN μέσης ισχύος

Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 4 A 3MHz 36 W Through Hole TO-126
TIP102 Τρανζίστορ Mosfet ΣΥΜΠΛΗΡΩΜΑΤΙΚΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΙΣΧΥΣ ΠΥΡΙΤΙΟΥ DARLICM GROUPON

TIP102 Τρανζίστορ Mosfet ΣΥΜΠΛΗΡΩΜΑΤΙΚΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡ ΙΣΧΥΣ ΠΥΡΙΤΙΟΥ DARLICM GROUPON

Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 100 V 8 A 2 W Through Hole TO-220
TIP122 Mosfet δύναμης συμπληρωματικές κρυσταλλολυχνίες DarliCM GROUPon δύναμης πυριτίου κρυσταλλολυχνιών

TIP122 Mosfet δύναμης συμπληρωματικές κρυσταλλολυχνίες DarliCM GROUPon δύναμης πυριτίου κρυσταλλολυχνιών

Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220
Μέσης ησχύος μετατροπή κρυσταλλολυχνιών δύναμης BD681 NPN DarliCM GROUPon

Μέσης ησχύος μετατροπή κρυσταλλολυχνιών δύναμης BD681 NPN DarliCM GROUPon

Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN (BJT) - DarliCM GROUPon 100 Β 4 Α 40 W μέσω της τρύπας μέθυσος-32-3
Mosfet δύναμης MJE15032G MJE15033G συμπληρωματικό mosfet δύναμης κρυσταλλολυχνιών

Mosfet δύναμης MJE15032G MJE15033G συμπληρωματικό mosfet δύναμης κρυσταλλολυχνιών

Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 250 Β 8 Α 30MHz 50 W (BJT) μέσω της τρύπας -220
BFR520 Mosfet δύναμης κρυσταλλολυχνία NPN ευρείας ζώνης κρυσταλλολυχνία 9 Ghz

BFR520 Mosfet δύναμης κρυσταλλολυχνία NPN ευρείας ζώνης κρυσταλλολυχνία 9 Ghz

Υποστήριγμα Sc-75 επιφάνειας κρυσταλλολυχνιών NPN 15V 70mA 9GHz 150mW RF
BC846B ηλεκτρικό ολοκληρωμένο κύκλωμα κρυσταλλολυχνιών NPN γενικού σκοπού πυριτίου

BC846B ηλεκτρικό ολοκληρωμένο κύκλωμα κρυσταλλολυχνιών NPN γενικού σκοπού πυριτίου

Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 65 Β 100 μΑ 300MHz υποστήριγμα μέθυσος-23-3 (BJT) επιφάνειας 350 MW
2SC2482 -92 πλαστικές κρυσταλλολυχνίες συσκευασίας (NPN), κρυσταλλολυχνία Npn γενικού σκοπού

2SC2482 -92 πλαστικές κρυσταλλολυχνίες συσκευασίας (NPN), κρυσταλλολυχνία Npn γενικού σκοπού

Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 100 mA 50MHz 900 mW Through Hole TO-92MOD
BCV49 Mosfet δύναμης κρυσταλλολυχνία, υψηλό ρεύμα συλλεκτών κρυσταλλολυχνιών DarliCM GROUPon πυριτίου NPN

BCV49 Mosfet δύναμης κρυσταλλολυχνία, υψηλό ρεύμα συλλεκτών κρυσταλλολυχνιών DarliCM GROUPon πυριτίου NPN

Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 60 V 500 mA 220MHz 1.3 W Surface Mount SOT-89
2SC4793 (Φ, Μ) τσιπ Integarted Circuts 3 καρφιτσών κρυσταλλολυχνιών τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων ηλεκτρονικής

2SC4793 (Φ, Μ) τσιπ Integarted Circuts 3 καρφιτσών κρυσταλλολυχνιών τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων ηλεκτρονικής

Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 1 A 100MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
PMBT2222AYS115 Mosfet δύναμης κρυσταλλολυχνία, mosfet δύναμης μετατροπής της PHILIPS NPN

PMBT2222AYS115 Mosfet δύναμης κρυσταλλολυχνία, mosfet δύναμης μετατροπής της PHILIPS NPN

Διπολική (BJT) Συστοιχία τρανζίστορ
Κρυσταλλικές επίπεδες κρυσταλλολυχνίες δύναμης πυριτίου PNP/NPN 2SC5707 για την υψηλής τάσης μετατροπή

Κρυσταλλικές επίπεδες κρυσταλλολυχνίες δύναμης πυριτίου PNP/NPN 2SC5707 για την υψηλής τάσης μετατροπή

Η διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 50 Β 8 (BJT) μια επιφάνεια 330MHz 1 W τοποθετεί το tp-FA
2sc2229-Υ mosfet δύναμης Mosfet δύναμης ολοκληρωμένου κυκλώματος τριπλός διασκορπισμένος τύπος πυριτίου NPN κρυσταλλολυχνιών (διαδικασία PCT)

2sc2229-Υ mosfet δύναμης Mosfet δύναμης ολοκληρωμένου κυκλώματος τριπλός διασκορπισμένος τύπος πυριτίου NPN κρυσταλλολυχνιών (διαδικασία PCT)

Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 150 Β 50 μΑ 120MHz (BJT) 800 MW μέσω της τρύπας -92MOD
ΕΠΊΠΕΔΟ (ΜΈΣΗΣ ΗΣΧΎΟΣ ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΊΕΣ) mosfet δύναμης μετατροπής ΠΥΡΙΤΊΟΥ ZTX653 NPN

ΕΠΊΠΕΔΟ (ΜΈΣΗΣ ΗΣΧΎΟΣ ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΊΕΣ) mosfet δύναμης μετατροπής ΠΥΡΙΤΊΟΥ ZTX653 NPN

Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 2 A 175MHz 1 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
2SC5171 ακουστικός κρυσταλλικός τύπος πυριτίου NPN κρυσταλλολυχνιών ολοκληρωμένου κυκλώματος ενισχυτών δύναμης 200 MHZ

2SC5171 ακουστικός κρυσταλλικός τύπος πυριτίου NPN κρυσταλλολυχνιών ολοκληρωμένου κυκλώματος ενισχυτών δύναμης 200 MHZ

Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 180 Β 2 Α 200MHz 2 W (BJT) μέσω της τρύπας -220NIS
MMBT4403LT1G mosfet υψηλής δύναμης μετατροπής κρυσταλλολυχνίες, κρυσταλλολυχνίες δύναμης πυριτίου PNP

MMBT4403LT1G mosfet υψηλής δύναμης μετατροπής κρυσταλλολυχνίες, κρυσταλλολυχνίες δύναμης πυριτίου PNP

Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 40 Β 600 μΑ 200MHz υποστήριγμα μέθυσος-23-3 (BJT) επιφάνειας 300 MW (-2
LT1086CM-3.3 mosfet δύναμης τσιπ Integarted Circuts ολοκληρωμένων κυκλωμάτων ηλεκτρονικής ενότητας

LT1086CM-3.3 mosfet δύναμης τσιπ Integarted Circuts ολοκληρωμένων κυκλωμάτων ηλεκτρονικής ενότητας

Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed 1 Output 1.5A 3-DDPAK
MJD340TF Τρανζίστορ ισχύος υψηλής τάσης D-PAK Μόσφετ ισχύος μεταγωγής

MJD340TF Τρανζίστορ ισχύος υψηλής τάσης D-PAK Μόσφετ ισχύος μεταγωγής

Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 1.56 W Surface Mount D-Pak
IRF9540 mosfet δύναμης Mosfet δύναμης ολοκληρωμένου κυκλώματος κρυσταλλολυχνία 19A, 100V, 0,200 ωμ, P-Channel MOSFETs δύναμης

IRF9540 mosfet δύναμης Mosfet δύναμης ολοκληρωμένου κυκλώματος κρυσταλλολυχνία 19A, 100V, 0,200 ωμ, P-Channel MOSFETs δύναμης

P-Channel 100 V 19A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
LD1117S12TR Mosfet ισχύος χαμηλή πτώση κρυσταλλολυχνιών σταθερή και διευθετήσιμοι θετικοί ρυθμιστές τάσης

LD1117S12TR Mosfet ισχύος χαμηλή πτώση κρυσταλλολυχνιών σταθερή και διευθετήσιμοι θετικοί ρυθμιστές τάσης

Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed 1 Output 800mA SOT-223
FCX605TA 20V NPN SILICON ΥΨΗΛΗ ΤΑΣΗ DARLICM GROUPON TRANSISTOR mosfet γενικής χρήσης

FCX605TA 20V NPN SILICON ΥΨΗΛΗ ΤΑΣΗ DARLICM GROUPON TRANSISTOR mosfet γενικής χρήσης

Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 120 V 1 A 150MHz 1 W Surface Mount SOT-89-3
PBSS4112PANP, Mosfet 115 δύναμης χαμηλή VCEsat (BISS) κρυσταλλολυχνία κρυσταλλολυχνιών NPN/NPN

PBSS4112PANP, Mosfet 115 δύναμης χαμηλή VCEsat (BISS) κρυσταλλολυχνία κρυσταλλολυχνιών NPN/NPN

Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 120V 1A 120MHz 510mW Surface Mount 6-HUSON (2x2)
2SC5242 3 κρυσταλλική κρυσταλλολυχνία πυριτίου κρυσταλλολυχνιών NPN καρφιτσών αρχική

2SC5242 3 κρυσταλλική κρυσταλλολυχνία πυριτίου κρυσταλλολυχνιών NPN καρφιτσών αρχική

Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 17 A 30MHz 130 W Through Hole TO-3P
BC847B μέθυσος-23 διπολική SMD κρυσταλλολυχνία 1F 1FW NPN

BC847B μέθυσος-23 διπολική SMD κρυσταλλολυχνία 1F 1FW NPN

MMBT3904-7-Φ Η ΠΟΛΥ ΕΚΠΟΜΠΏΝ ΕΠΙΦΆΝΕΙΑ ΣΗΜΆΤΩΝ ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΙΏΝ NPN ΜΙΚΡΉ ΤΟΠΟΘΕΤΕΊ ΤΗΝ ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΊΑ

MMBT3904-7-Φ Η ΠΟΛΥ ΕΚΠΟΜΠΏΝ ΕΠΙΦΆΝΕΙΑ ΣΗΜΆΤΩΝ ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΙΏΝ NPN ΜΙΚΡΉ ΤΟΠΟΘΕΤΕΊ ΤΗΝ ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΊΑ

Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3
BC847A διπλά Mosfet δύναμης τμήματα ηλεκτρονικής πυριτίου κρυσταλλολυχνιών NPN

BC847A διπλά Mosfet δύναμης τμήματα ηλεκτρονικής πυριτίου κρυσταλλολυχνιών NPN

Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 45 Β 100 μΑ 300MHz υποστήριγμα μέθυσος-23-3 (BJT) επιφάνειας 250 MW (-2
2SC945 Ενισχυτής συχνότητας ήχου Τρανζίστορ υψηλής συχνότητας Osc Npn

2SC945 Ενισχυτής συχνότητας ήχου Τρανζίστορ υψηλής συχνότητας Osc Npn

Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 150 mA 150MHz 400 mW Through Hole TO-92
Mosfet δύναμης κρυσταλλολυχνιών πυριτίου NPN κρυσταλλική κρυσταλλολυχνία 2SC5200

Mosfet δύναμης κρυσταλλολυχνιών πυριτίου NPN κρυσταλλική κρυσταλλολυχνία 2SC5200

Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-264
PZT2222A Power Mosfet Transistor NPN ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΓΕΝΙΚΗΣ ΧΡΗΣΗΣ

PZT2222A Power Mosfet Transistor NPN ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΓΕΝΙΚΗΣ ΧΡΗΣΗΣ

Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 300MHz 1 W Surface Mount SOT-223
Τρανζίστορ υψηλής τάσης MMBT5551LT1G Power Mosfet Τρανζίστορ NPN πυρίτιο

Τρανζίστορ υψηλής τάσης MMBT5551LT1G Power Mosfet Τρανζίστορ NPN πυρίτιο

Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
NJW0302G συμπληρωματική Mosfet δύναμης μετατροπής κρυσταλλολυχνία, NPN - διπολικές κρυσταλλολυχνίες δύναμης PNP

NJW0302G συμπληρωματική Mosfet δύναμης μετατροπής κρυσταλλολυχνία, NPN - διπολικές κρυσταλλολυχνίες δύναμης PNP

Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-3P-3L
Τρανζίστορ FZT653TA Power Mosfet Npn Silicon Planar High Performance Transistor

Τρανζίστορ FZT653TA Power Mosfet Npn Silicon Planar High Performance Transistor

TRANS NPN 100V 2A SOT223-3
Τρανζίστορ MPSA42 Power Mosfet Τρανζίστορ υψηλής τάσης NPN χαμηλού ρεύματος

Τρανζίστορ MPSA42 Power Mosfet Τρανζίστορ υψηλής τάσης NPN χαμηλού ρεύματος

Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 50MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Κρυσταλλολυχνία (Npn) για τις γενικές εφαρμογές AF, υψηλός συλλέκτης τρέχον Bc817-40

Κρυσταλλολυχνία (Npn) για τις γενικές εφαρμογές AF, υψηλός συλλέκτης τρέχον Bc817-40

Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 45 Β 500 μΑ 100MHz υποστήριγμα μέθυσος-23 (BJT) επιφάνειας 300 MW
BC847C Mosfet δύναμης κρυσταλλολυχνιών γενικού σκοπού npn κρυσταλλολυχνία μέθυσος-23 ΔΙΠΟΛΙΚΉ ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΊΑ ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΙΏΝ

BC847C Mosfet δύναμης κρυσταλλολυχνιών γενικού σκοπού npn κρυσταλλολυχνία μέθυσος-23 ΔΙΠΟΛΙΚΉ ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΊΑ ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΙΏΝ

Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 45 Β 100 μΑ 300MHz υποστήριγμα μέθυσος-23 (BJT) επιφάνειας 200 MW
BC807-40 μέθυσος-23 ΔΙΠΟΛΙΚΌΣ ενισχυτής γενικού σκοπού ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΙΏΝ ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΙΏΝ (PNP) PNP ενσωμάτωσε τον ημιαγωγό

BC807-40 μέθυσος-23 ΔΙΠΟΛΙΚΌΣ ενισχυτής γενικού σκοπού ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΙΏΝ ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΛΥΧΝΙΏΝ (PNP) PNP ενσωμάτωσε τον ημιαγωγό

Διπολική κρυσταλλολυχνία PNP 45 Β 500 μΑ 100MHz υποστήριγμα μέθυσος-23 (BJT) επιφάνειας 300 MW
PBSS4320T 20 χαμηλό VCEsat mosfet δύναμης μετατροπής κρυσταλλολυχνιών Β NPN

PBSS4320T 20 χαμηλό VCEsat mosfet δύναμης μετατροπής κρυσταλλολυχνιών Β NPN

Η διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 20 Β 2 (BJT) ένα 100MHz επιφάνεια 540 MW τοποθετεί -236AB
Τρανζίστορ IC Τρανζίστορ NPN Power Mosfet BCP54 Ενισχυτής γενικής χρήσης

Τρανζίστορ IC Τρανζίστορ NPN Power Mosfet BCP54 Ενισχυτής γενικής χρήσης

Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 1.5 A 1.5 W Surface Mount SOT-223-4
DDTC144EE-7-F NPN PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-523 TRANSISTOR SURFACE MONT

DDTC144EE-7-F NPN PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-523 TRANSISTOR SURFACE MONT

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount SOT-523
BT151-500R N Κανάλι MOS FET NPN Τρανζίστορ Τρανζίστορ Τρανζίστορ 3 ακίδων

BT151-500R N Κανάλι MOS FET NPN Τρανζίστορ Τρανζίστορ Τρανζίστορ 3 ακίδων

Κρυσταλλολυχνία BC848B γενικού σκοπού NPN

Κρυσταλλολυχνία BC848B γενικού σκοπού NPN

Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-23
Ολοκληρωμένα κυκλώματα ηλεκτρονικής κρυσταλλολυχνιών γενικού σκοπού BC817-25LT1G NPN

Ολοκληρωμένα κυκλώματα ηλεκτρονικής κρυσταλλολυχνιών γενικού σκοπού BC817-25LT1G NPN

Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 45 Β 500 μΑ 100MHz υποστήριγμα μέθυσος-23-3 (BJT) επιφάνειας 300 MW (-2
MMBTA43LT1G mosfet δύναμης υψηλής τάσης κρυσταλλολυχνίες, mosfet δύναμης RF κρυσταλλολυχνίες

MMBTA43LT1G mosfet δύναμης υψηλής τάσης κρυσταλλολυχνίες, mosfet δύναμης RF κρυσταλλολυχνίες

Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 200 Β 50 μΑ 50MHz υποστήριγμα μέθυσος-23-3 (BJT) επιφάνειας 225 MW (-23
Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία πυριτίου PNP, ακουστικό mosfet δύναμης 2SB1560

Κρυσταλλική επίπεδη κρυσταλλολυχνία πυριτίου PNP, ακουστικό mosfet δύναμης 2SB1560

Διπολικό τρανζίστορ (BJT) PNP - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 50MHz 100 W Through Hole TO-3P
Lm2577t-adj 3 η κρυσταλλολυχνία ΑΠΛΌ switcher-ρ καρφιτσών επιταχύνει το ρυθμιστή τάσης

Lm2577t-adj 3 η κρυσταλλολυχνία ΑΠΛΌ switcher-ρ καρφιτσών επιταχύνει το ρυθμιστή τάσης

Boost, Flyback, Forward Converter Switching Regulator IC Positive Adjustable 1.23V 1 Output 3A (Switch) TO-220-5
Τρανζίστορ μονάδας EMD3T2R Power Mosfet Γενικής χρήσης (Διπλά Ψηφιακά Τρανζίστορ)

Τρανζίστορ μονάδας EMD3T2R Power Mosfet Γενικής χρήσης (Διπλά Ψηφιακά Τρανζίστορ)

TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
MGW12N120D Mosfet δύναμης μονωμένη κρυσταλλολυχνία διπολική κρυσταλλολυχνία πυλών με την αντιπαράλληλη δίοδο

MGW12N120D Mosfet δύναμης μονωμένη κρυσταλλολυχνία διπολική κρυσταλλολυχνία πυλών με την αντιπαράλληλη δίοδο

IGBT
MMBT4401LT1G Mosfet δύναμης μετατροπής υψηλή δύναμη 225 MW PD κρυσταλλολυχνιών

MMBT4401LT1G Mosfet δύναμης μετατροπής υψηλή δύναμη 225 MW PD κρυσταλλολυχνιών

Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN 40 Β 600 μΑ 250MHz υποστήριγμα μέθυσος-23-3 (BJT) επιφάνειας 300 MW (-2
TIP120 Mosfet δύναμης συμπληρωματικές κρυσταλλολυχνίες πυριτίου κρυσταλλολυχνιών

TIP120 Mosfet δύναμης συμπληρωματικές κρυσταλλολυχνίες πυριτίου κρυσταλλολυχνιών

Διπολική κρυσταλλολυχνία NPN (BJT) - DarliCM GROUPon 60 Β 5 Α 2 W μέσω της τρύπας -220
Κρυσταλλικό επίπεδο ακουστικό mosfet 2SB1560,  δύναμης πυριτίου PNP

Κρυσταλλικό επίπεδο ακουστικό mosfet 2SB1560, δύναμης πυριτίου PNP

Bipolar (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 50MHz 100 W Through Hole TO-3P
1 2 3 4