Φίλτρα
Φίλτρα
Ηλεκτρονικά συστατικά
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | κατασκευαστής | Απόθεμα | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
GRM1555C1H2R7CA01D MLCC Συσσωρευτής Νέος και πρωτότυπος |
2.7 pF ±0.25pF Κερμικός συμπυκνωτής 50V C0G, NP0 0402 (1005 Metric)
|
Μουράτα
|
|
|
|
|
|
GRM1555C1H300GA01D MLCC Συσσωρευτής Νέος και πρωτότυπος |
30 pF ±2% κεραμικός πυκνωτής C0G, NP0 0402 50V (1005 μετρικά)
|
Μουράτα
|
|
|
|
|
|
GRM1555C1H301JA01D MLCC Συσσωρευτής Νέος και πρωτότυπος |
300 pF ±5% κεραμικός πυκνωτής C0G, NP0 0402 50V (1005 μετρικά)
|
Μουράτα
|
|
|
|
|
|
GRM1555C1H330GA01D MLCC Συσσωρευτής Νέος και πρωτότυπος |
33 pF ± 2% 50V κεραμικός συμπυκνωτής C0G, NP0 0402 (1005 Metric
|
Μουράτα
|
|
|
|
|
|
GRM1555C1H330JA01D MLCC Συσσωρευτής Νέος και πρωτότυπος |
33 pF ± 5% 50V κεραμικός συμπυκνωτής C0G, NP0 0402 (1005 Metric)
|
Μουράτα
|
|
|
|
|
|
GRM1555C1H102JA01D Νέο και αρχικό απόθεμα |
1000 pF ±5% κεραμικός πυκνωτής C0G, NP0 0402 50V (1005 μετρικά)
|
Μουράτα
|
|
|
|
|
|
GRM1555C1H390GA01D MLCC Συσσωρευτής Νέος και πρωτότυπος |
39 pF ±2% κεραμικός πυκνωτής C0G, NP0 0402 50V (1005 μετρικά)
|
Μουράτα
|
|
|
|
|
|
TG-5035CJ-33N 38.4000M3 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΚΑΤΑΠΟΙΟΙ |
Ταλαντωτής 1.7V ~ 3.6V εφεδρικό 4-SMD (δύναμης κάτω), κανένας μόλυβδος 38,4 MHZ TCXO
|
EPSON
|
|
|
|
|
|
BLM31PG121SN1L ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
120 ωμ @ 100 MHZ 1 Ferrite ηλεκτροφόρων καλωδίων χάντρα 1206 (3216 μετρικά) 3.5A 20mOhm
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
GRM1885C1H222JA01D 2200pF ±5% κεραμικό μοντάρισμα πυκνωτών C0G NP0 0603 MLCC 50V |
2200 pF ±5% κεραμικός πυκνωτής C0G, NP0 0603 50V (1608 μετρικά)
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
Πυκνωτής 1000pF ±10% σειρά 1206 τσιπ CC1206KKX7RDBB102 SMD 2000V X7R |
1000 pF ±10% κεραμικός πυκνωτής X7R 1206 2000V (2kV) (3216 μετρικά)
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
CL05A474KQ5NNNC 0.47µF ±10% κεραμικός πυκνωτής 0402 6.3V X5r για το ιατρικό εξοπλισμό |
0,47 µF ±10% κεραμικός πυκνωτής X5R 0402 6.3V (1005 μετρικά)
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
AO4854 Ηλεκτρονικό τσιπ IC ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΚΑΤΑΛΟ |
Μωσφέτ 30V 8A 2W επιφανειακή τοποθέτηση 8-SOIC
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
AOD403 Ηλεκτρονικό τσιπ IC ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΚΑΤΑΛΟ |
Π-Κανάλι 30 V 15A (Ta), 70A (Tc) 2,5W (Ta), 90W (Tc) Επεξεργασία επιφάνειας TO-252 (DPAK)
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
AON7405 Ηλεκτρονικό τσιπ IC Νέο και πρωτότυπο απόθεμα |
Διάδρομος P 30 V 25A (Ta), 50A (Tc) 6.25W (Ta), 83W (Tc) Επιφανειακή τοποθέτηση 8-DFN-EP (3.3x3.3)
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
AON7407 Ηλεκτρονικό τσιπ IC ΝΕΟ και πρωτότυπο απόθεμα |
Π-Κανάλι 20 V 14,5A (Ta), 40A (Tc) 3,1W (Ta), 29W (Tc) Επιφανειακή τοποθέτηση 8-DFN-EP (3x3)
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
AON7408 Ηλεκτρονικό τσιπ IC Νέο και πρωτότυπο απόθεμα |
N-Channel 30 V 10A (Ta), 18A (Tc) 3.1W (Ta), 11W (Tc) Επιφανειακή τοποθέτηση 8-DFN-EP (3x3)
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
AON7534 Ηλεκτρονικό IC Τσιπ Νέο και πρωτότυπο απόθεμα |
Διάδρομος N 30 V 20A (Ta), 30A (Tc) 3W (Ta), 23W (Tc) Επιφανειακή τοποθέτηση 8-DFN-EP (3x3)
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
AON7410 Ηλεκτρονικό IC Τσιπ Νέο και πρωτότυπο απόθεμα |
Ν. Διάδρομος 30 V 9.5A (Ta), 24A (Tc) 3.1W (Ta), 20W (Tc) Επιφανειακή τοποθέτηση 8-DFN-EP (3x3)
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
IRGIB10B60KD1P ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων |
IGBT NPT 600 Β 16 Α 44 W μέσω της τρύπας -220AB πλήρης-Pak
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRGP35B60PDPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΚΑΤΑΛΟ |
IGBT NPT 600 Β 60 Α 308 W μέσω της τρύπας -247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRGP20B60PDPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων |
IGBT NPT 600 Β 40 Α 220 W μέσω της τρύπας -247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRGB6B60KDPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων |
IGBT NPT 600 Β 13 Α 90 W μέσω της τρύπας -220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων |
IGBT NPT 600 Β 75 Α 390 W μέσω της τρύπας -247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PDPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων |
IGBT NPT 600 Β 75 Α 370 W μέσω της τρύπας -247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRG4BC30KDSTRRP Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΚΑΤΑΛΟ |
Δοκιμαστικό σύστημα IGBT 600 V 28 A 100 W
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IXTQ130N10T ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ κρυσταλλολυχνιών επίδρασης τομέων |
N-Channel 100 Β 130A (TC) 360W (TC) Μέσω της τρύπας -3P
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
IRFH5300TRPBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ |
N-Channel 30 V 40A (Ta), 100A (Tc) 3,6W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFIZ44NPBF Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο αποθεματικό |
N-Channel 55 Β 31A (TC) 45W (TC) Μέσω της τρύπας -220AB πλήρης-Pak
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
VS-60CPQ150PBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου |
Σειρά κοινή κάθοδος 150 Β 30A διόδων 1 ζευγαριού μέσω της τρύπας -247-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF640NPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου |
N-Channel 200 Β 18A (TC) 150W (TC) Μέσω της τρύπας -220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
VS-36MB160A Τρανζίστορα Επίδρασης Πεδίου Νέο και πρωτότυπο απόθεμα |
KV ενιαίας φάσης διορθωτών γεφυρών τυποποιημένο 1,6 QC τερματικό δ-34
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF6665TRPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου Νέο και πρωτότυπο απόθεμα |
Διάδρομος N 100 V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Επιφανειακή τοποθέτηση DIRECTFETTM SH
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF6216TRPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου |
Π-Κανάλι 150 V 2.2A (Ta) 2.5W (Ta) Επιφανειακή τοποθέτηση 8-SO
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF640PBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου |
Διάδρομος N 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) μέσω τρύπας TO-220AB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF6638TRPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου Νέο και πρωτότυπο απόθεμα |
Διάδρομος 30 V 25A (Ta), 140A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Επιφανειακή τοποθέτηση DIRECTFETTM MX
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF6218STRLPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου |
Διάδρομος P 150 V 27A (Tc) 250W (Tc) Επιφανειακή τοποθέτηση D2PAK
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF630NPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΚΟΣΜΟ |
N-Channel 200 Β 9.3A (TC) 82W (TC) Μέσω της τρύπας -220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF6620TRPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου |
N-Channel 20 V 27A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Επιφανειακή τοποθέτηση DIRECTFETTM MX
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF620PBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου |
Διάδρομος N 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) μέσω τρύπας TO-220AB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF630NSTRLPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου |
N-Channel 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Επιφανειακή επιφάνεια D2PAK
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF640NSTRLPBF Τρανζίστορα με επίδραση πεδίου Νέο και πρωτότυπο απόθεμα |
N-Channel 200 επιφάνεια Β 18A (TC) 150W (TC) τοποθετεί D2PAK
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
PC817 Πρωτότυπο κύκλωμα πλακέτας Τσιπ PC817X3NSZ9F C Τύπος 817 Οπτοσύνδεσμος DIP SHARP |
4-ΕΜΒΎΘΙΣΗ καναλιών παραγωγής 5000Vrms 1 κρυσταλλολυχνιών Optoisolator
|
Κατασκευαστής
|
|
|
|
|
|
Adxl356cez-RL επιταχύμετρο Χ, Υ, επιταχύμετρα ADI αισθητήρων κινήσεων άξονα Ζ |
Επιταχύμετρο Χ, Υ, άξονας ±10g, ±40g 1Hz ~ 1kHz 14-CLCC Ζ (6x6)
|
ΑΝΑΛΟΓΙΚΕΣ ΣΥΣΚΕΥΕΣ
|
|
|
|
|
|
TCS3200D-TR Προγραμματιζόμενο ολοκληρωμένο κύκλωμα φωτός σε συχνότητα / ένταση αισθητήρα IC |
Χρωματικός αισθητήρας αυτόματη ενεργοποίηση 8-SOIC (0,154", 3,90mm πλάτος)
|
ams-OSRAM
|
|
|
|
|
|
STP110N8F6 ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΑΠΟΤΑΣΜΟ |
N-Channel 80 Β 110A (TC) 200W (TC) Μέσω της τρύπας -220
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MBRB10100-E3/8W Νέο και αρχικό απόθεμα |
Δίοδος 100 V 10A επιφανειακή τοποθέτηση TO-263AB (D2PAK)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
STW45NM60 Νέο και αρχικό απόθεμα |
N-Channel 650 Β 45A (TC) 417W (TC) Μέσω της τρύπας -247-3
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BAT120C,115 ΝΕΟ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟ ΑΡΘΡΟ |
Η σειρά κοινή κάθοδος 25 διόδων 1 ζευγαριού επιφάνεια Β 1A (συνεχές ρεύμα) τοποθετεί -261-4, -261AA
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BCP51-16,115 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΟΥΣ ΑΠΟΣΟΧΟΙ |
Διπολικό (BJT) Τρανζιστόρ PNP 45 V 1 A 145MHz 1 W Επιφανειακό τοποθέτημα SOT-223
|
Nexperia
|
|
|