Να στείλετε μήνυμα
Σπίτι > προϊόντα > IGBT Power Module > STW34NM60ND Mosfet δύναμης μνήμη προγράμματος τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων κρυσταλλολυχνιών

STW34NM60ND Mosfet δύναμης μνήμη προγράμματος τσιπ ολοκληρωμένων κυκλωμάτων κρυσταλλολυχνιών

κατασκευαστής:
Κατασκευαστής
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 29A TO247
Κατηγορία:
IGBT Power Module
Τιμή:
Negotiation
Μέθοδος πληρωμής:
T/T, Western Union, Paypal
Προδιαγραφές
Temperature Range:
–65°C to +175°C
Payment Term:
T/T, Paypal, Western Union
Voltage:
14V
Current:
7A
Package:
TO-220
Factory Package:
TUBE
Κυριώτερο σημείο:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Εισαγωγή

N-channel 600 Β, τύπος 0,097 ωμ., 29 ένα FDmesh ΙΙ MOSFET δύναμης

(με τη γρήγορη δίοδο) σε D2PAK, -220FP, -220 και -247

Χαρακτηριστικά γνωρίσματα

Κώδικες διαταγής Μέγιστο VDSS @TJ. Μέγιστο RDS (επάνω). Ταυτότητα

STB34NM60ND

STF34NM60ND

STP34NM60ND

STW34NM60ND

650V 0,110 Ω 29A

■Το παγκόσμιο καλύτερο RDS (επάνω) σε -220 μεταξύ των γρήγορων συσκευών διόδων αποκατάστασης

■100% χιονοστιβάδα δοκιμασμένη

■Χαμηλές ικανότητα εισαγωγής και δαπάνη πυλών

■Χαμηλή αντίσταση εισαγωγής πυλών

■Εξαιρετικά υψηλές ικανότητες dv/dt και χιονοστιβάδων

ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ

Αυτό το FDmesh™ ΙΙ MOSFETs δύναμης με την εγγενή δίοδο σωμάτων γρήγορος-αποκατάστασης παράγεται χρησιμοποιώντας τη δεύτερη γενιά της τεχνολογίας MDmesh™. Χρησιμοποιώντας μια νέα κάθετη δομή λουρίδα-σχεδιαγράμματος, αυτές οι επαναστατικές συσκευές χαρακτηρίζουν εξαιρετικά - χαμηλή -αντίσταση και ανώτερη απόδοση μετατροπής. Είναι ιδανικοί για τους μετατροπείς μετατόπισης φάσης τοπολογιών γεφυρών και ZVS

ΑΠΟΛΥΤΕΣ ΜΕΓΙΣΤΕΣ ΕΚΤΙΜΗΣΕΙΣ (1)
ΕΑΝ (AV) 12 Α
VRRM 600 Β
IRM (τύπος) 7 Α
Tj 175°C
VF (τύπος) 1,4 Β
trr (ανώτατο) 25 NS


ΜΕΡΟΣ ΤΟΥ ΑΠΟΘΕΜΑΤΟΣ

ΣΥΝΔΙΑΛΛΑΓΉ FDS9435A 1500 FSC 15+ Sop-8
DIODO MMBD4148,215 300000 15+ Sot23-3
C.I L7805CD2T-TR 2500 ST 14+ D2PAK
FDS6990A 1500 FSC 15+ Sop-8
NDS9952A 1500 FSC 15+ Sop-8
SN65HVD485EDR 1500 Tj 16+ Sop-8
SMBJ8.5CA 7500 VISHAY 16+ SMB
PIC24FJ16GA004-I/PT 1500 ΜΙΚΡΟΤΣΙΠ 13+ Tqfp-44
C.I TLC072CDGNR 5000 Tj 05+ Msop-8
C.I SN74LS374N 2000 Tj 15+ Εμβύθιση-20
ΣΥΝΔΙΑΛΛΑΓΉ BC817-16LT1G 300000 12+ Μέθυσος-23
C.I TL074CN 1000 Tj 12+ Εμβύθιση-14
OPTOACOPLADOR MOC3063SM 20000 FSC 14+ Sop-6
TRIAC BT151-500R 300000 16+ -220
C.I MM74HC164MX 25000 FSC 05+ Sop-14
C.I WS79L05 100000 WS 16+ -92
RES RL1206FR-070R75L 100000 YAGEO 16+ SMD1206
RES RC1206FR-071R5L 500000 YAGEO 16+ SMD1206
RES RC1206FR-071R2L 500000 YAGEO 16+ SMD1206
RES RL1206FR-070R68L 1000000 YAGEO 16+ SMD1206
RES RC0402FR-0722KL 3000000 YAGEO 16+ SMD0402
RES RC0402FR-0756RL 2000000 YAGEO 16+ SMD0402
RES RC0402FR-0724RL 2000000 YAGEO 16+ SMD0402
RES RC1206JR-072ML 500000 YAGEO 16+ SMD1206
ΚΑΠ 1206 22PF 1KV NP0 CL31C220JIFNFNE 600000 SAMSUNG 16+ SMD1206


ΣΧΕΤΙΚΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ
Εικόνα μέρος # Περιγραφή
Αρχική σύνδεση RJ45 Ethernet Jack Plug J00-0065NL για PBC Board

Αρχική σύνδεση RJ45 Ethernet Jack Plug J00-0065NL για PBC Board

1 Port RJ45Through Hole 10/100 Base-TX, AutoMDIX
6EP3331-6SB00-0AY0 24V 1.3A σταθεροποίησε τη ράγα παροχής ηλεκτρικού ρεύματος DIN τοποθετεί

6EP3331-6SB00-0AY0 24V 1.3A σταθεροποίησε τη ράγα παροχής ηλεκτρικού ρεύματος DIN τοποθετεί

IXGH40N60C2D1 HiPer FASTTM -247 Mosfet IGBT 300W ΕΜΒΎΘΙΣΗΣ 40A 600V

IXGH40N60C2D1 HiPer FASTTM -247 Mosfet IGBT 300W ΕΜΒΎΘΙΣΗΣ 40A 600V

IGBT PT 600 V 75 A 300 W Through Hole TO-247AD
CMX909BD5 εύκαμπτος χαμηλής ισχύος GMSK ολοκληρωμένων κυκλωμάτων διαποδιαμορφωτής στοιχείων πακέτων τσιπ

CMX909BD5 εύκαμπτος χαμηλής ισχύος GMSK ολοκληρωμένων κυκλωμάτων διαποδιαμορφωτής στοιχείων πακέτων τσιπ

38.4k Modem 24-SSOP
UPS161 Συγχρονιστικό σήμα ελέγχου CMOS LSI τηλεοπτικά κυκλώματα κυκλώματα LED

UPS161 Συγχρονιστικό σήμα ελέγχου CMOS LSI τηλεοπτικά κυκλώματα κυκλώματα LED

GT SERIES 3000VA 120V RACKMOUNT
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ:
10pcs