512 Kbit 1 Mbit 2 Mbit Πολλό Χρόνο Προγραμματιζόμενο Flash LED Integrated Circuit Chip SST27SF512-70-3C-PGE

512 Kbit 1 Mbit 2 Mbit Πολλό Χρόνο Προγραμματιζόμενο Flash LED Integrated Circuit Chip SST27SF512-70-3C-PGE

ΕΠΙΤΡΟΠΗ:

• Τακτοποιημένο ως 64K x8 / 128K x8 / 256K x8

• Δραστηριότητα ανάγνωσης 4,5-5,5V

• Υψηλότερη Αξιότητα Εμπιστοσύνης

Αντοχή: Τουλάχιστον 1000 κύκλοι

Πάνω από 100 έτη Διατήρηση δεδομένων

• Μικρή κατανάλωση ενέργειας

Δράση ενεργού ρεύματος: 20 mA (τυπική)

∆ήμινο ρεύμα αναμονής: 10 μA (τυπικό)

• Χρόνος πρόσβασης σε γρήγορη ανάγνωση 70 ns

• Λειτουργία προγράμματος ταχείας κλίμακας

Χρόνος Byte-Program: 20 μs (τυπικό)

Χρόνος προγραμματισμού τσιπ:

1.4 δευτερόλεπτα (τυπικά) για το SST27SF512

2.8 δευτερόλεπτα (τυπικά) για το SST27SF010

5.6 δευτερόλεπτα (τυπικά) για το SST27SF020

Περιγραφή του προϊόντος

Το SST27SF512/010/020 είναι ένα 64K x8 / 128K x8 / 256K x8 CMOS, Πολλόχρονο Προγραμματιζόμενο (MTP) φλας χαμηλού κόστους, που κατασκευάζεται με την ιδιόκτητη, υψηλής απόδοσης τεχνολογία SuperFlash της SST.Ο σχεδιασμός κυψελών με διχασμένη πύλη και ο ενέττης σήραγγας πάχους οξειδίου επιτυγχάνουν καλύτερη αξιοπιστία και κατασκευαστικότητα σε σύγκριση με εναλλακτικές προσεγγίσειςΑυτές οι συσκευές MTP μπορούν να διαγραφούν ηλεκτρικά και να προγραμματιστούν τουλάχιστον 1000 φορές χρησιμοποιώντας έναν εξωτερικό προγραμματιστή με τροφοδοσία 12V. Πρέπει να διαγραφούν πριν από τον προγραμματισμό.Αυτές οι συσκευές συμμορφώνονται με τα πρότυπα JEDEC pinouts για μνήμες byte-wide.

Διαθέτοντας υψηλής απόδοσης Byte-Program, το SST27SF512/010/020 παρέχει χρόνο Byte-Program 20 μs. Σχεδιασμένο, κατασκευασμένο και δοκιμασμένο για ένα ευρύ φάσμα εφαρμογών,οι συσκευές αυτές προσφέρονται με αντοχή τουλάχιστον 1000 κύκλωνΗ διατήρηση των δεδομένων είναι υψηλότερη από 100 χρόνια.

Η SST27SF512/010/020 είναι κατάλληλη για εφαρμογές που απαιτούν σπάνιες εγγραφές και μη πτητική αποθήκευση χαμηλής ισχύος.και απόδοσης ενώ ταυτόχρονα αντιστοιχεί στο χαμηλό κόστος σε μη πτητικές εφαρμογές που χρησιμοποιούν σήμερα UV-EPROM, OTPs, και μασκ ROMs.

Απόλυτη μέγιστη ένταση(Οι εφαρμοζόμενες συνθήκες μεγαλύτερες από εκείνες που αναφέρονται στο σημείο “Απολύτως μέγιστες τιμές πίεσης” μπορεί να προκαλέσουν μόνιμη βλάβη στο προϊόν.Αυτό είναι μόνο μια κατάταξη αντοχής και δεν υπονοείται η λειτουργική λειτουργία της συσκευής σε αυτές τις συνθήκες ή σε συνθήκες μεγαλύτερες από εκείνες που ορίζονται στα τμήματα λειτουργίας του παρόντος δελτίου δεδομένων.Η έκθεση σε απόλυτες συνθήκες μέγιστης τάσης μπορεί να επηρεάσει την αξιοπιστία της συσκευής.

Θερμοκρασία κάτω από την προκατάληψη. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55°C έως +125°C

Θερμοκρασία αποθήκευσης. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . - Ναι. . . . . . -65°C έως +150°C Δ.C.

Η τάση σε οποιαδήποτε πινακίδα στο γήπεδο είναι δυνατή. . . . . . . . . . . . . . . . .-0,5V έως VDD+0,5V

Περαιτέρω τάση (< 20 ns) σε οποιοδήποτε δυναμικό πιν προς γή. . ..-2.0V σε VDD+2.0V

Η τάση στο A9 και το δυναμικό VPP. . . . - Τι; . . . . . . . -0,5V έως 14,0V

Δυνατότητα διάσπασης ισχύος συσκευασίας (TA = 25°C). . . . . . . . . 1,0W

Μέσα από την θερμοκρασία συγκόλλησης τρύπας μολύβδου (10 δευτερόλεπτα). . . . . . . . . - Τι; . . . . 300°C

Θέρμανση επαναρρίκνωσης επιφανειακής ένωσης έλξης1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 260 ° C για 10 δευτερόλεπτα. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 mA

ΛΗΓΙΟ ΤΟΥ ΚΑΤΑΛΟΥ