RC4558P 8 pin ic chip ολοκληρωμένο κύκλωμα τσιπ ΔΙΠΛΗΣ ΓΕΝΙΚΗΣ ΧΡΗΣΗΣ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ
integrated circuit ic
,integrated circuit components
RC4558
ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΚΟΣ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ ΔΙΠΛΗΣ ΓΕΝΙΚΗΣ ΧΡΗΣΗΣ
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ
• Προστασία από συνεχές βραχυκύκλωμα
• Ευρεία εύρη κοινής λειτουργίας και διαφορικής τάσης
• Δεν απαιτείται αντιστάθμιση συχνότητας
• Χαμηλή κατανάλωση ενέργειας
• Χωρίς Latch-Up
• Εύρος ζώνης Unity-Gain ...3 MHz Τύπος
• Αντιστοίχιση κέρδους και φάσης μεταξύ ενισχυτών
• Χαμηλός θόρυβος...8 nV/√Hz Τύπος στο 1 kHz
ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ/ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΕΣ ΠΑΡΑΓΓΕΛΙΑΣ
Η συσκευή RC4558 είναι ένας λειτουργικός ενισχυτής διπλής γενικής χρήσης, με κάθε μισό ηλεκτρικά παρόμοιο με το μA741, εκτός από το ότι δεν παρέχεται δυνατότητα μηδενικής μετατόπισης.
Το υψηλό εύρος τάσης εισόδου κοινής λειτουργίας και η απουσία κλειδώματος καθιστούν αυτόν τον ενισχυτή ιδανικό για εφαρμογές που ακολουθούν τάση.Η συσκευή προστατεύεται από βραχυκύκλωμα και η εσωτερική αντιστάθμιση συχνότητας εξασφαλίζει σταθερότητα χωρίς εξωτερικά εξαρτήματα.
Απόλυτες Μέγιστες Αξιολογήσεις(1)
πάνω από το εύρος θερμοκρασίας ελεύθερου αέρα λειτουργίας (εκτός εάν αναφέρεται διαφορετικά)
MIN | ΜΕΓΙΣΤΗ | ΜΟΝΑΔΑ | |||
VCC+ | Τάση τροφοδοσίας(2) | 18 | V | ||
VCC– | -18 | V | |||
Vταυτότητα | Διαφορική τάση εισόδου(3) | ±30 | V | ||
VΕγώ | Τάση εισόδου (οποιαδήποτε είσοδος)(2) (4) | ±15 | V | ||
Διάρκεια βραχυκυκλώματος εξόδου στη γείωση, ένας ενισχυτής τη φορά(5) | Απεριόριστος | ||||
θJA | Συσκευασία θερμική αντίσταση(6)(7) | Δ πακέτο | 97 | °C/W | |
Πακέτο DGK | 172 | ||||
Πακέτο P | 85 | ||||
Πακέτο PS | 95 | ||||
Πακέτο PW | 149 | ||||
ΤJ | Θερμοκρασία εικονικής διασταύρωσης λειτουργίας | 150 | °C | ||
Τstg | Εύρος Θερμοκρασίας Αποθήκευσης | –65 | 150 | °C |
(1) Καταπονήσεις πέρα από αυτές που αναφέρονται στις Απόλυτες Μέγιστες Αξιολογήσεις μπορεί να προκαλέσουν μόνιμη βλάβη στη συσκευή.Αυτές είναι μόνο αξιολογήσεις καταπόνησης και δεν υπονοείται η λειτουργική λειτουργία της συσκευής σε αυτές ή οποιεσδήποτε άλλες συνθήκες πέρα από αυτές που υποδεικνύονται στις Συνιστώμενες Συνθήκες Λειτουργίας.Η έκθεση σε συνθήκες απόλυτης μέγιστης βαθμολογίας για παρατεταμένες περιόδους μπορεί να επηρεάσει την αξιοπιστία της συσκευής.
(2) Όλες οι τιμές τάσης, εκτός εάν αναφέρεται διαφορετικά, αφορούν το μέσο μεταξύ VCC+ και VCC–.
(3) Οι διαφορικές τάσεις είναι στο IN+ σε σχέση με το IN–.
(4) Το μέγεθος της τάσης εισόδου δεν πρέπει ποτέ να υπερβαίνει το μέγεθος της τάσης τροφοδοσίας ή τα 15 V, όποιο είναι μικρότερο.
(5) Η θερμοκρασία ή/και οι τάσεις τροφοδοσίας πρέπει να είναι περιορισμένες για να διασφαλίζεται ότι δεν γίνεται υπέρβαση της ονομαστικής διασποράς.
(6) Η μέγιστη απαγωγή ισχύος είναι συνάρτηση των TJ (max), θJA και TA.Η μέγιστη επιτρεπόμενη απαγωγή ισχύος σε οποιαδήποτε επιτρεπόμενη θερμοκρασία περιβάλλοντος είναι PD = (TJ (max) – TA)/θJA.Η λειτουργία στο απόλυτο μέγιστο TJ των 150°C μπορεί να επηρεάσει την αξιοπιστία.
(7) Η θερμική αντίσταση συσκευασίας υπολογίζεται σύμφωνα με το JESD 51-7.
ΣΧΗΜΑΤΙΚΟΣ (ΚΑΘΕ ΕΝΙΣΧΥΤΗΣ)
Προσφορά μετοχών (Hot Sell)
Μέρος ΑΡΙΘ. | Ερ | MFG | D/C | Πακέτο |
CM GROUPB20N120IHLWG | 2100 | ΕΠΙ | 14+ | ΤΟ-247 |
PCA9540BDP | 12280 | 12+ | MSOP | |
30358* | 329 | BOSCH | 10+ | ΤΚ-15 |
LTC1480CS8 | 15450 | ΓΡΑΜΜΙΚΟΣ | 16+ | ΔΟΛΩΜΑ |
BD682STU | 1500 | ΠΑΡΑΚΙΔΙ | 10+ | TO-126 |
LP2980AIM5-5.0 | 10000 | NSC | 14+ | ΣΩΤ-23-5 |
BAT54AWT1G | 10000 | ΕΠΙ | 15+ | SOT-323 |
PIC16F676-I/P | 5093 | ΜΙΚΡΟΤΣΙΠ | 16+ | ΒΟΥΤΙΑ |
LXT384LE | 4946 | INTEL | 15+ | QFP |
88E1116R-NNC1 | 1948 | ΜΑΡΒΕΛ | 11+ | QFN |
AZ1117D-ADJTRE1 | 7500 | BCD | 15+ | ΤΟ-252 |
PCF7922ATT/E | 5026 | PHILIPS | 10+ | ΤΣΣΟΠ |
LP2987AIM-3.3 | 4501 | NSC | 14+ | SOP-8 |
BTA316-800B | 3642 | 10+ | TO-220 | |
LPC1754FBD80 | 1522 | 15+ | LQFP-80 | |
LTC4412IS6 | 6272 | ΓΡΑΜΜΙΚΟΣ | 16+ | ΜΕΘΥΣΟΣ |
23K640-I/SN | 3122 | ΜΙΚΡΟΤΣΙΠ | 15+ | SOP-8 |
PMEG6010AED | 12000 | 12+ | SOT-363 | |
MAX642ACPA | 4686 | ΑΠΟΦΘΕΓΜΑ | 15+ | ΒΟΥΤΙΑ |
LT1172CS8#TRPBF | 8850 | ΓΡΑΜΜΙΚΟΣ | 16+ | SOP-8 |
MC9S12A256CFUE | 4726 | ΔΩΡΕΑΝ Κλίμακα | 15+ | QFP |
LMC6482IMX/NOPB CMOS διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα ενισχυτών ράγα--ραγών εισόδου-εξόδου λειτουργικό
DRV602PWR ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
OPA335AIDR Ηλεκτρονικά τσιπάκια IC ΜΙΑ-ΠΕΡΙΔΗΤΗΣΗ ΚΟΜΟΣ ΕΠΙΧΡΗΤΙΚΟΥΣ ΑΝΑΠΑΡΑΓΑΤΕΣ
OPA4228UA ο ενισχυτής 4 κύκλωμα 14 SOIC 11 V/ΜS γενικού σκοπού γυρίζει το ποσοστό
TL082CP το ολοκληρωμένο κύκλωμα Chipjfet εισήγαγε το λειτουργικό ενισχυτή υψηλό γυρίζει το ποσοστό
TAS5162DKDR ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΑΠΟΤΑΣΜΟΙ
TL062CDR ΝΕΟΙΚΟΙ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΙ αποθέματα
LM324N ΝΕΟΙ και ΠΡΩΤΟΙΚΟΙ ΑΠΟΤΑΣΜΟΙ
Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
---|---|---|---|
LMC6482IMX/NOPB CMOS διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα ενισχυτών ράγα--ραγών εισόδου-εξόδου λειτουργικό |
CMOS Amplifier 2 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC
|
||
DRV602PWR ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης |
Amplifier IC 2-Channel (Stereo) Class AB 14-TSSOP
|
||
OPA335AIDR Ηλεκτρονικά τσιπάκια IC ΜΙΑ-ΠΕΡΙΔΗΤΗΣΗ ΚΟΜΟΣ ΕΠΙΧΡΗΤΙΚΟΥΣ ΑΝΑΠΑΡΑΓΑΤΕΣ |
Zero-Drift Amplifier 1 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC
|
||
OPA4228UA ο ενισχυτής 4 κύκλωμα 14 SOIC 11 V/ΜS γενικού σκοπού γυρίζει το ποσοστό |
General Purpose Amplifier 4 Circuit 14-SOIC
|
||
TL082CP το ολοκληρωμένο κύκλωμα Chipjfet εισήγαγε το λειτουργικό ενισχυτή υψηλό γυρίζει το ποσοστό |
J-FET Amplifier 2 Circuit 8-PDIP
|
||
TAS5162DKDR ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΑΠΟΤΑΣΜΟΙ |
Amplifier IC 2-Channel (Stereo) Class D 36-HSSOP
|
||
TL062CDR ΝΕΟΙΚΟΙ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΙ αποθέματα |
J-FET Amplifier 2 Circuit 8-SOIC
|
||
LM324N ΝΕΟΙ και ΠΡΩΤΟΙΚΟΙ ΑΠΟΤΑΣΜΟΙ |
General Purpose Amplifier 4 Circuit 14-PDIP
|