Να στείλετε μήνυμα
Σπίτι > προϊόντα > Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος ενισχυτών > Προγραμματιζόμενοι λειτουργικοί ενισχυτές χαμηλής ισχύος Lincmose TLC271CDR

Προγραμματιζόμενοι λειτουργικοί ενισχυτές χαμηλής ισχύος Lincmose TLC271CDR

κατασκευαστής:
Τεξας Instruments
Περιγραφή:
Ενισχυτής 1 κύκλωμα 8-SOIC γενικού σκοπού
Κατηγορία:
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος ενισχυτών
Τιμή:
Negotiate
Μέθοδος πληρωμής:
T/T, Western Union, Paypal
Προδιαγραφές
Τάση ανεφοδιασμού, VDD:
18V
Διαφορική τάση εισαγωγής, VID:
±VDD
Σειρά τάσης εισαγωγής, VI (οποιαδήποτε εισαγωγή):
– 0,3 Β σε VDD
Ρεύμα εισαγωγής, ΙΙ:
±5 μΑ
ρεύμα παραγωγής, IO:
±30 μΑ
Σειρά θερμοκρασίας αποθήκευσης:
– 65°C σε 150°C
Κυριώτερο σημείο:

electronics ic chip

,

integrated circuit components

Εισαγωγή

 

LinCMOSTMΠΡΟΓΡΑΜΜΑΤΙΣΜΟΙ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΚΟΙ ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΧΑΜΗΛΗΣ ΙΣΧΥΟΣ

 

*Μετατόπιση τάσης εισόδου ...Τυπικά

0,1 µV/Μήνα, Συμπεριλαμβανομένων των Πρώτων 30 Ημερών

*Μεγάλο εύρος τάσεων τροφοδοσίας Πάνω

Καθορισμένο εύρος θερμοκρασίας:

0°C έως 70°C...3 V έως 16 V

–40°C έως 85°C...4 V έως 16 V

–55°C έως 125°C...5 V έως 16 V

*Λειτουργία Ενιαίας Παροχής

*Εύρος τάσης εισόδου κοινής λειτουργίας

Εκτείνεται κάτω από την αρνητική ράγα (C-Επίθημα και

Τύποι επιθημάτων I)

*Χαμηλός θόρυβος...25 nV/√Hz Συνήθως σε

f = 1 kHz (Λειτουργία υψηλής πόλωσης)

*Το εύρος τάσης εξόδου περιλαμβάνει αρνητική ράγα

*Υψηλή αντίσταση εισόδου...1012 Ω Τυπ

*Κύκλωμα προστασίας ESD

*Διατίθεται επίσης η επιλογή πακέτου Small-Outline

στο Tape and Reel

*Designed-In Latch-Up Immunity

 

περιγραφή

Ο λειτουργικός ενισχυτής TLC271 συνδυάζει ένα ευρύ φάσμα βαθμών μετατόπισης τάσης εισόδου με μετατόπιση τάσης χαμηλής μετατόπισης και υψηλή σύνθετη αντίσταση εισόδου.Επιπλέον, το TLC271 προσφέρει μια λειτουργία επιλογής μεροληψίας που επιτρέπει στο χρήστη να επιλέξει τον καλύτερο συνδυασμό κατανάλωσης ισχύος και απόδοσης εναλλασσόμενου ρεύματος για μια συγκεκριμένη εφαρμογή.Αυτές οι συσκευές χρησιμοποιούν Texas Instruments silicon-gate LinCMOSTMτεχνολογία, η οποία παρέχει σταθερότητα μετατόπισης τάσης που υπερβαίνει κατά πολύ τη σταθερότητα που είναι διαθέσιμη με τις συμβατικές διεργασίες μεταλλικής πύλης.

 

ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΣΥΣΚΕΥΗΣ

ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΣ† BIAS-SELECT MODE ΜΟΝΑΔΑ
ΥΨΗΛΟΣ ΜΕΣΑΙΟ ΧΑΜΗΛΟΣ
Πρε 3375 525 50 µW
SR 3.6 0.4 0,03 V/μs
Vn 25 32 68 nV/√Hz
σι1 1.7 0,5 0,09 MHz
ΕΝΑVD 23 170 480 V/mV

Τυπικό στο VDD= 5 V, TΕΝΑ= 25°C

 

ισοδύναμο σχηματικό

 

απόλυτες μέγιστες βαθμολογίες για τη θερμοκρασία ελεύθερου αέρα λειτουργίας

(εκτός αν αναφέρεται διαφορετικά)†

Τάση τροφοδοσίας, VDD(βλ. Σημείωση 1) ...................................................18 V

Διαφορική τάση εισόδου, Vταυτότητα(βλ. Σημείωση 2) ​​............................................±VDD

Εύρος τάσης εισόδου, VΕγώ(οποιαδήποτε εισαγωγή) ...........................................– 0,3 V έως VDD

Ρεύμα εισόδου, ΙΕγώ.................................................................±5 mA

Ρεύμα εξόδου, ΙΟ..............................................................±30 mA

Διάρκεια ρεύματος βραχυκυκλώματος στους (ή κάτω) 25°C (βλ. Σημείωση 3) ..........................Απεριόριστος

Συνεχής ολική διάχυση .....................................Δείτε τον Πίνακα Βαθμολόγησης Διασκορπισμού

Θερμοκρασία ελεύθερου αέρα λειτουργίας, TΕΝΑ: C επίθημα .....................................0,0°C έως 70°C

επιθέτω ....................................– 40°C έως 85°C

Μ επίθημα ...................................– 55°C έως 125°C

Εύρος Θερμοκρασίας Αποθήκευσης ...............................................– 65°C έως 150°C

Θερμοκρασία θήκης για 60 δευτερόλεπτα: Συσκευασία FK .......................................260°C

Θερμοκρασία καλωδίου 1,6 mm (1/16 ίντσας) από τη θήκη για 10 δευτερόλεπτα: συσκευασία D ή P .............0,260°C

Θερμοκρασία καλωδίου 1,6 mm (1/16 ίντσας) από τη θήκη για 60 δευτερόλεπτα: Συσκευασία JG ................0,300°C

 

† Καταπονήσεις πέρα ​​από αυτές που αναφέρονται στις «απόλυτες μέγιστες αξιολογήσεις» μπορεί να προκαλέσουν μόνιμη βλάβη στη συσκευή.Αυτές είναι μόνο αξιολογήσεις καταπόνησης και η λειτουργική λειτουργία της συσκευής σε αυτές ή οποιεσδήποτε άλλες συνθήκες πέρα ​​από αυτές που υποδεικνύονται στις «συνιστώμενες συνθήκες λειτουργίας» δεν υπονοείται.Η έκθεση σε συνθήκες απόλυτης μέγιστης βαθμολογίας για παρατεταμένες περιόδους μπορεί να επηρεάσει την αξιοπιστία της συσκευής.

ΣΗΜΕΙΩΣΕΙΣ: 1. Όλες οι τιμές τάσης, εκτός από τις διαφορικές τάσεις, αφορούν τη γείωση του δικτύου.

2. Οι διαφορικές τάσεις είναι στο IN+ σε σχέση με το IN–.

3. Η έξοδος μπορεί να βραχυκυκλωθεί σε οποιαδήποτε παροχή.Η θερμοκρασία ή/και οι τάσεις τροφοδοσίας πρέπει να είναι περιορισμένες για να διασφαλιστεί

να μην ξεπεραστεί ο μέγιστος βαθμός διάχυσης (βλ. ενότητα εφαρμογής).

 

ΠΙΝΑΚΑΣ ΒΑΘΜΟΛΟΓΗΣΗΣ ΔΙΑΚΟΠΗΣ

ΠΑΚΕΤΟ

ΤΕΝΑ≤ 25°C

ΒΑΘΜΟΛΟΓΙΑ ΙΣΧΥΟΣ

ΠΑΡΑΓΟΝΤΑΣ ΔΙΑΤΡΟΦΗΣ

ΠΑΝΩ ΤΕΝΑ= 25°C

ΤΕΝΑ= 70°C ΒΑΘΜΟΛΟΓΙΑ ΙΣΧΥΟΣ

ΤΕΝΑ= 85°C

ΒΑΘΜΟΛΟΓΙΑ ΙΣΧΥΟΣ

ΤΕΝΑ= 125°C

ΒΑΘΜΟΛΟΓΙΑ ΙΣΧΥΟΣ

ρε 725 mW 5,8 mW/°C 464 mW 377 mW 145 mW
FK 1375 mW 11,0 mW/°C 880 mW 715 mW 275 mW
JG 1050 mW 8,4 mW/°C 672 mW 546 mW 210 mW
Π 1000 mW 8,0 mW/°C 640 mW 520 mW 200 mW

      

Προτεινόμενες συνθήκες λειτουργίας

  Γ ΕΠΙΘΕΜΑ I ΕΠΙΘΕΜΑ Μ ΕΠΙΘΕΜΑ ΜΟΝΑΔΑ
ΕΛΑΧΙΣΤΟ ΜΕΓΙΣΤΟ ΕΛΑΧΙΣΤΟ ΜΕΓΙΣΤΟ ΕΛΑΧΙΣΤΟ ΜΕΓΙΣΤΟ
Τάση τροφοδοσίας, VDD 3 16 4 16 5 16 V

Κοινή λειτουργία

τάση εισόδου VIC

VDD= 5 V –0,2 3,5 –0,2 3,5 0 3,5 V
VDD= 10 V –0,2 8,5 –0,2 8,5 0 8,5
Θερμοκρασία ελεύθερου αέρα λειτουργίας, TΕΝΑ 0 70 –40 85 –55 125 °C

 

ΣΧΕΤΙΚΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ
Εικόνα μέρος # Περιγραφή
LMC6482IMX/NOPB CMOS διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα ενισχυτών ράγα--ραγών εισόδου-εξόδου λειτουργικό

LMC6482IMX/NOPB CMOS διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα ενισχυτών ράγα--ραγών εισόδου-εξόδου λειτουργικό

CMOS Amplifier 2 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC
DRV602PWR ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

DRV602PWR ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

Amplifier IC 2-Channel (Stereo) Class AB 14-TSSOP
OPA335AIDR Ηλεκτρονικά τσιπάκια IC ΜΙΑ-ΠΕΡΙΔΗΤΗΣΗ ΚΟΜΟΣ ΕΠΙΧΡΗΤΙΚΟΥΣ ΑΝΑΠΑΡΑΓΑΤΕΣ

OPA335AIDR Ηλεκτρονικά τσιπάκια IC ΜΙΑ-ΠΕΡΙΔΗΤΗΣΗ ΚΟΜΟΣ ΕΠΙΧΡΗΤΙΚΟΥΣ ΑΝΑΠΑΡΑΓΑΤΕΣ

Zero-Drift Amplifier 1 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC
OPA4228UA ο ενισχυτής 4 κύκλωμα 14 SOIC 11 V/ΜS γενικού σκοπού γυρίζει το ποσοστό

OPA4228UA ο ενισχυτής 4 κύκλωμα 14 SOIC 11 V/ΜS γενικού σκοπού γυρίζει το ποσοστό

General Purpose Amplifier 4 Circuit 14-SOIC
TL082CP το ολοκληρωμένο κύκλωμα Chipjfet εισήγαγε το λειτουργικό ενισχυτή υψηλό γυρίζει το ποσοστό

TL082CP το ολοκληρωμένο κύκλωμα Chipjfet εισήγαγε το λειτουργικό ενισχυτή υψηλό γυρίζει το ποσοστό

J-FET Amplifier 2 Circuit 8-PDIP
TAS5162DKDR ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΑΠΟΤΑΣΜΟΙ

TAS5162DKDR ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ ΑΠΟΤΑΣΜΟΙ

Amplifier IC 2-Channel (Stereo) Class D 36-HSSOP
TL062CDR ΝΕΟΙΚΟΙ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΙ αποθέματα

TL062CDR ΝΕΟΙΚΟΙ και ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΙ αποθέματα

J-FET Amplifier 2 Circuit 8-SOIC
LM324N ΝΕΟΙ και ΠΡΩΤΟΙΚΟΙ ΑΠΟΤΑΣΜΟΙ

LM324N ΝΕΟΙ και ΠΡΩΤΟΙΚΟΙ ΑΠΟΤΑΣΜΟΙ

General Purpose Amplifier 4 Circuit 14-PDIP
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ:
10pcs