Να στείλετε μήνυμα
Σπίτι > προϊόντα > Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης > ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC

ΚΟΜΜΆΤΙ Winbond TW SPI ολοκληρωμένου κυκλώματος 3V 1G αστραπιαίας σκέψης NAND W25N01GVZEIG SLC

κατασκευαστής:
Κατασκευαστής
Περιγραφή:
ΛΑΜΨΗ - ολοκληρωμένο κύκλωμα 1Gbit SPI μνήμης NAND (SLC) - τετράγωνο I/O 104 MHZ 7 NS 8-WSON (8x6)
Κατηγορία:
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης
Τιμή:
To be negotiated
Μέθοδος πληρωμής:
T/T, Western Union, Paypal
Προδιαγραφές
ΠΕ:
W25N01GVZEIG
Εμπορικές μάρκες:
WINBOND
Αρχικός:
TW
Τετάρτη:
3V
MEMBORY:
1g-ΚΟΜΜΑΤΙ
Τύπος:
Ολοκληρωμένο κύκλωμα αστραπιαίας σκέψης NAND SLC
Κυριώτερο σημείο:

SLC Nand Flash Memory IC

,

1G BIT Flash Memory IC

,

SPI Memory Array IC

Εισαγωγή

W25N01GVZEIG 3V 1G-BIT SERIAL SLC NAND Flash μνήμη με διπλό/πενταπλό SPI

ΠΑΡΑΓΜΑΤΙΚΟ ΚΑΙ ΠΑΡΑΓΜΑΤΙΚΟ

3V 1G-BIT
ΣΕΡΙΑΛ SLC NAND FLASH μνήμη με
Δύο / τέσσερα SPI
ΠΑΡΑΓΜΑΤΙΚΟ ΚΑΙ ΠΑΡΑΓΜΑΤΙΚΟ
1Γενικές περιγραφές
Η W25N01GV (1G-bit) Serial SLC NAND Flash Memory παρέχει μια λύση αποθήκευσης για συστήματα με
Η οικογένεια W25N SpiFlash ενσωματώνει την δημοφιλή διεπαφή SPI και το
Είναι ιδανικά για την σκιώδης λειτουργία κώδικα στη μνήμη RAM, την εκτέλεση
Η συσκευή λειτουργεί σε ένα ενιαίο
2.7V έως 3.6V τροφοδοσία με κατανάλωση ρεύματος τόσο χαμηλή όσο 25mA ενεργός και 10μA σε κατάσταση αναμονής.
Οι συσκευές της οικογένειας SpiFlash προσφέρονται σε συσκευασίες εξοικονόμησης χώρου που ήταν αδύνατο να χρησιμοποιηθούν στο παρελθόν για
την τυπική μνήμη flash NAND.
Η συστοιχία μνήμης 1G-bit W25N01GV είναι οργανωμένη σε 65.536 προγραμματιζόμενες σελίδες 2.048 bytes η καθεμία.
Η ολόκληρη σελίδα μπορεί να προγραμματιστεί με τη χρήση των δεδομένων από το εσωτερικό αποθηκευτικό απόθεμα 2.048-Byte.
Το W25N01GV έχει 1.024 διαγράφσιμα μπλοκ.
Το W25N01GV υποστηρίζει το πρότυπο Serial Peripheral Interface (SPI), Dual/Quad I/O SPI: Serial Clock,
Επικαιροποιείται η δυνατότητα επιλογής τσιπ, σειριακών δεδομένων I/O0 (DI), I/O1 (DO), I/O2 (/WP) και I/O3 (/HOLD).
Υποστηρίζονται 104MHz επιτρέποντας ισοδύναμες τιμές ρολογιού 208MHz (104MHz x 2) για διπλή I/O και 416MHz
(104MHz x 4) για την τετραπλή είσοδο/έκδοση όταν χρησιμοποιούνται οι οδηγίες γρήγορης ανάγνωσης διπλής/τετραπλής είσοδος/έκδοσης.
Το W25N01GV παρέχει μια νέα κατάσταση συνεχούς ανάγνωσης που επιτρέπει την αποτελεσματική πρόσβαση σε ολόκληρη την
Αυτή η δυνατότητα είναι ιδανική για εφαρμογές σκιάσης κώδικα.
Μια καρφίτσα Hold, μια καρφίτσα Write Protect και μια προγραμματιζόμενη προστασία εγγραφής παρέχουν περαιτέρω ευελιξία ελέγχου.
Επιπλέον, η συσκευή υποστηρίζει το πρότυπο JEDEC κατασκευαστή και το αναγνωριστικό συσκευής, ένα μοναδικό αναγνωριστικό 2,048-Byte
Για να παρέχει καλύτερο NAND flash
Διαχειρίσιμη μνήμη, διαμορφώσιμη από τον χρήστη εσωτερική ECC, διαχείριση κακών μπλοκ είναι επίσης διαθέσιμες σε
W25N01GV.
2. Ειδικά χαρακτηριστικά
• Νέα οικογένεια μνήμης SpiFlash W25N
W25N01GV: 1G-bit / 128M-byte
∆ Εναλλακτικός προσανατολισμός για την παρακολούθηση
Δύο SPI: CLK, /CS, IO0, IO1, /WP, /hold
¢ Quad SPI: CLK, /CS, IO0, IO1, IO2, IO3
∆ Συμβατές σειριακές εντολές flash SPI
• Η υψηλότερη απόδοση σε σειρά NAND flash
∆ 104MHz Τυποποιημένα/Δυαδικά/Τετραπλό SPI ρολόγια
Δύο/τέσσερα SPI ισοδύναμα 208/416MHz
∆ 50MB/S συνεχής ταχύτητα μεταφοράς δεδομένων
️ Γρήγορη απόδοση προγράμματος/καθάρισης
Πάνω από 100.000 κύκλοι διαγραφής/προγράμματος
∆ιατήρηση δεδομένων για διάστημα μεγαλύτερο των 10 ετών
• Αποτελεσματική ∆ύναμη συνεχούς ανάγνωσης (Continuous Read Mode)
∆ Εναλλακτική μέθοδος για τη λειτουργία ανάγνωσης του αποθηκευτικού αποθηκευτικού συστήματος
Δεν χρειάζεται να εκδίδετε “Διαβάστε δεδομένα σελίδας” μεταξύ των εντολών Διαβάστε
Επιτρέπει άμεση πρόσβαση ανάγνωσης σε ολόκληρο το φάσμα
• Μικρή ισχύς, ευρύ εύρος θερμοκρασιών
∆ιαφορετική τροφοδοσία 2,7 έως 3,6V
Δράση ενεργού 25mA, τάση αναμονής 10μA
Διάστημα λειτουργίας -40 °C έως +85 °C
• Ευέλικτη αρχιτεκτονική με μπλοκ 128KB
Ομοιόμορφη διαγραφή μπλοκ 128K-Byte
Ελαστικές μεθόδους φόρτωσης δεδομένων σελίδας
• Προχωρημένα χαρακτηριστικά
Ενα τσιπ 1-Bit ECC για μνήμη συστοιχίας
Τα bits κατάστασης ECC υποδεικνύουν τα αποτελέσματα ECC
∆ κακή διαχείριση μπλοκ και πρόσβαση σε LUT(2)
Προστασία εγγραφής λογισμικού και υλικού
∆ Ενεργειακή τροφοδοσία
2KB Μοναδικό αναγνωριστικό και 2KB σελίδες παραμέτρων
Δέκα σελίδες OTP 2KB (3)
• Συσκευασίες με αποδοτικό χώρο
∙ 8-πακέτο WSON 8x6-mm
- 16 κόμβων SOIC 300-mil
24 μπάλες TFBGA 8x6mm
Για άλλες επιλογές πακέτου επικοινωνήστε με την Winbond

ΣΧΕΤΙΚΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ
Εικόνα μέρος # Περιγραφή
PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα

PF48F4400P0VBQEK Νέο και αρχικό απόθεμα

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

DSPIC30F3011-30I/PT ΝΈΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΌ ΑΠΌΘΕΜΑ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

IR2110PBF ΝΕΟ ΚΑΙ ΑΡΧΙΚΟ ΑΠΟΘΕΜΑ

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος αστραπιαίας σκέψης S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ

W25Q80DVSNIG τμηματικό τσιπ 3V λάμψης διπλό ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης Spi τετραγώνων 8M ΜΠΙΤ

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS

Single-Chip ενότητα IRF520 Drive PWM Controlador επίδρασης τομέων σωλήνων MOS

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485

MAX485, ενότητα TTL RS485 rs-485 στην ενότητα TTL σε 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ Αποθέματα

SKY65336-11 ΝΕΟΥΣ ΚΑΙ ΠΡΩΤΗΜΕΝΟΥΣ Αποθέματα

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
MOQ:
10pcs